| 专利名称 | 一种低硼掺杂下高电导率氢化非晶硅薄膜的制备方法 | 申请号 | CN201310251540.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103346069A | 公开（授权）日 | 2013.10.09 | 申请（专利权）人 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 | 发明（设计）人 | 王维燕;王林青;黄金华;黄俊俊;曾俞衡;宋伟杰;谭瑞琴 | 主分类号 | H01L21/203(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/203(2006.01)I;H01L31/20(2006.01)I;C23C14/35(2006.01)I | 专利有效期 | 一种低硼掺杂下高电导率氢化非晶硅薄膜的制备方法 至一种低硼掺杂下高电导率氢化非晶硅薄膜的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种低硼掺杂下高电导率氢化非晶硅薄膜的制备方法，采用离子束辅助磁控溅射技术，以硼原子的掺杂量为0.02~0.2at%的硼掺杂单晶硅作为磁控溅射靶材进行溅射，本底真空度为10?4~10?5Pa，射频功率为100~300W，溅射气体为氩气和氢气的混合气体，溅射气体总气压为0.1~0.5Pa，衬底温度为100~400℃，以高纯氩气作为辅助离子源形成氩辅助离子束，氩辅助离子束的能量为100~800eV，束流为5~30mA，在衬底的表面溅射沉积形成薄膜的同时氩辅助离子束撞击薄膜表面，得到低硼掺杂下高电导率a-Si:H氢化非晶硅薄膜；本发明制备工艺简单，成本低，适合大规模工业化生产；采用本发明方法制备的低硼掺杂的a-Si:H薄膜具有高电导率及较好的结构特性，满足硅基薄膜太阳电池窗口层材料的要求，有利于提高太阳电池性能。 |
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