| 专利名称 | 确定单晶硅湿法刻蚀制作中阶梯光栅中刻蚀截止点的方法 | 申请号 | CN201310251594.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103344716A | 公开（授权）日 | 2013.10.09 | 申请（专利权）人 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 发明（设计）人 | 焦庆斌;谭鑫;巴音贺希格;齐向东 | 主分类号 | G01N30/02(2006.01)I | IPC主分类号 | G01N30/02(2006.01)I | 专利有效期 | 确定单晶硅湿法刻蚀制作中阶梯光栅中刻蚀截止点的方法 至确定单晶硅湿法刻蚀制作中阶梯光栅中刻蚀截止点的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 确定单晶硅湿法刻蚀制作中阶梯光栅中刻蚀截止点的方法，属于光谱技术领域，解决了现有技术确定单晶硅湿法刻蚀刻蚀截止点重复性差、精度低的问题。本发明的方法包括以下步骤：(1)构建一套包括单晶硅湿法刻蚀反应以及检测痕量氢气的装置；(2)在反应未开始时通过机械泵对装置抽真空，通过真空规及真空计测量氢气输送管内的真空度；(3)真空度达到10Pa以下时开始反应，通过机械泵将反应生成的氢气抽至痕量氢气检测装置，得到痕量氢气检测装置中氢气总量的原子吸收光谱峰值随反应时间的关系曲线；(4)当关系曲线的变化趋缓时任意时刻停止反应过程，此时即为刻蚀截止点。本发明能够精确确定单晶硅湿法刻蚀制作中阶梯光栅的刻蚀截止点。 |
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