| 专利名称 | 一种测定掺铈闪烁晶体中铈离子浓度的方法 | 申请号 | CN201310285533.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103344604A | 公开（授权）日 | 2013.10.09 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 戴灵恩;冯锡淇;吴承;徐权;陆晟;丁栋舟;唐佳;杨建华 | 主分类号 | G01N21/35(2006.01)I | IPC主分类号 | G01N21/35(2006.01)I | 专利有效期 | 一种测定掺铈闪烁晶体中铈离子浓度的方法 至一种测定掺铈闪烁晶体中铈离子浓度的方法 | 法律状态 | 专利申请权、专利权的转移 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种测定掺铈闪烁晶体中铈离子浓度的方法，所述方法是首先建立相同尺寸、相同晶向的各标准品的红外吸收光谱在扣除“本底”后、在波数为2000～3000cm-1区域内的谱线所对应的峰位面积与铈离子浓度的标准关系曲线，然后通过测定相同尺寸和晶向的待测同质晶体样品的红外吸收谱，最后根据所建立的标准关系曲线直接得到待测样品中的铈离子浓度。本发明方法不需要每次测试都要对样品进行破坏性操作，是一种方便、快捷、非破坏性的创新测试方法，对掺铈闪烁晶体的性能分析和研究具有重要意义，同时也对测定其它稀土掺杂闪烁材料中的掺杂离子的浓度测定具有参考价值。 |
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