| 专利名称 | 镓锑基中红外圆斑输出低发散角边发射光子晶体激光器 | 申请号 | CN201310233361.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103346478A | 公开（授权）日 | 2013.10.09 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 郑婉华;王海玲;刘磊;张建心;张斯日古楞;渠红伟;张冶金 | 主分类号 | H01S5/22(2006.01)I | IPC主分类号 | H01S5/22(2006.01)I | 专利有效期 | 镓锑基中红外圆斑输出低发散角边发射光子晶体激光器 至镓锑基中红外圆斑输出低发散角边发射光子晶体激光器 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种镓锑基中红外圆斑输出低发散角边发射光子晶体激光器，包括：n型衬底；沉积于n型衬底背面的n型电极；依次沉积于n型衬底正面的一维光子晶体、下波导层、有源层、上波导层、p型盖层、脊形条波导和p型电极。其中，脊形条波导、p型盖层、上波导层、有源层、下波导层、一维光子晶体构成P-N结，一维光子晶体的交替生长方向垂直于该P-N结的方向，脊形条波导的方向平行于该P-N结方向，脊形条波导和一维光子晶体形成非对称光子晶体复合波导。本发明将一维光子晶体引入脊形条波导激光器中，其可以对垂直于P-N结方向的模式进行调控，从而增加了基模的光场面积，减小了该方向的基模远场发散角。 |
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