| 专利名称 | GaInP/GaAs/InGaAsP/InGaAs四结级联太阳电池及其制备方法 | 申请号 | CN201310223613.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103346191A | 公开（授权）日 | 2013.10.09 | 申请（专利权）人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 发明（设计）人 | 赵勇明;董建荣;李奎龙;孙玉润;曾徐路;于淑珍;赵春雨;杨辉 | 主分类号 | H01L31/0687(2012.01)I | IPC主分类号 | H01L31/0687(2012.01)I;H01L31/0693(2012.01)I;H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 专利有效期 | GaInP/GaAs/InGaAsP/InGaAs四结级联太阳电池及其制备方法 至GaInP/GaAs/InGaAsP/InGaAs四结级联太阳电池及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种GaInP/GaAs/InGaAsP/InGaAs四结级联太阳电池，包括GaAs衬底以及GaInP/GaAs双结电池和InGaAsP/InGaAs双结电池，所述GaAs衬底具有双面生长结构;所述GaAs衬底的第一面设置有GaInP/GaAs双结电池，第二面设置有一渐变过渡层，并通过该渐变过渡层与所述InGaAsP/InGaAs双结电池级联。该四结级联太阳电池带隙组合为1.90eV，1.42eV，～1.03eV，0.73eV，各个子电池的电流失配小，减小了光电转换过程中的热能损失，提高了电池效率。 |
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