| 专利名称 | 单片集成耦合腔窄线宽半导体激光器 | 申请号 | CN201310211088.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103346475A | 公开（授权）日 | 2013.10.09 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 刘建国;郭锦锦;黄宁博;孙文惠;祝宁华 | 主分类号 | H01S5/12(2006.01)I | IPC主分类号 | H01S5/12(2006.01)I | 专利有效期 | 单片集成耦合腔窄线宽半导体激光器 至单片集成耦合腔窄线宽半导体激光器 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种单片集成耦合腔窄线宽半导体激光器，包括：基底；缓冲层，形成于该基底之上；下限制层，形成于该缓冲层之上；多量子阱有源层，形成于该下限制层的左端之上；波导层，形成于该下限制层的右端之上；相移光栅层，形成于该多量子阱有源层之上；均匀布拉格光栅层，形成于该波导层之上；上限制层，形成于该有源叠层、该对接区及该无源叠层之上；刻蚀阻止层，形成于该上限制层之上；欧姆接触层，形成于该刻蚀阻止层的左端之上；P电极层，形成于该欧姆接触层之上；以及N电极层，形成于该基底的背面。利用本发明，避免了传统的利用外腔压窄线宽结构的跳模危险，实现频率的稳定性。 |
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