| 专利名称 | 热释电薄膜红外焦平面探测器芯片及其制作方法 | 申请号 | CN201310281825.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103346250A | 公开（授权）日 | 2013.10.09 | 申请（专利权）人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所;中国科学院上海技术物理研究所 | 发明（设计）人 | 朱煜;褚君浩;张耀辉;宋贺伦;王建禄;孟祥建;孙硕 | 主分类号 | H01L37/02(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L37/02(2006.01)I;H01L37/00(2006.01)I | 专利有效期 | 热释电薄膜红外焦平面探测器芯片及其制作方法 至热释电薄膜红外焦平面探测器芯片及其制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及探测器技术领域，尤其是热释电薄膜红外焦平面探测器芯片，其从下至上依次包括衬底、黏合层、绝热支撑结构、下电极、光敏元、上电极和红外吸收层；所述绝热支撑结构包括：隔热层，所述隔热层包括上下交替层叠的SiO2纳米阵列和TiO2纳米阵列；形成在所述隔热层表面的过渡支撑层，所述过渡支撑层包括从下至上依次层叠的若干层SiO2过渡结构，以及沉积在所述SiO2过渡结构表面的HfO2膜；所述过渡支撑层的孔隙率从下至上逐渐降低。本发明制备方法简单，灵活调节控制绝热支撑结构的孔隙率，有效降低探测器芯片的热导率，在满足探测器对绝热支撑结构应力释放要求的同时提高探测器的灵敏度、稳定性和可靠性。 |
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