| 专利名称 | 三结太阳电池及其制备方法 | 申请号 | CN201310172395.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103346189A | 公开（授权）日 | 2013.10.09 | 申请（专利权）人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 发明（设计）人 | 曾徐路;董建荣;李奎龙;孙玉润;于淑珍;赵勇明;赵春雨;杨辉 | 主分类号 | H01L31/0687(2012.01)I | IPC主分类号 | H01L31/0687(2012.01)I;H01L31/0693(2012.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 专利有效期 | 三结太阳电池及其制备方法 至三结太阳电池及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种三结太阳电池，其中两个子电池采用GaNAsBi材料制作，与GaAs衬底晶格匹配，本发明还涉及该三结太阳电池的制备方法，本发明的三结太阳电池及其制备方法简化了制备工艺，提高了电池效率，降低了生产成本。 |
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