| 专利名称 | 光子晶体纳腔量子环单光子发射器件及其制备方法 | 申请号 | CN201310254144.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103346476A | 公开（授权）日 | 2013.10.09 | 申请（专利权）人 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 发明（设计）人 | 佟存柱;田思聪;汪丽杰;邢恩博;王立军 | 主分类号 | H01S5/125(2006.01)I | IPC主分类号 | H01S5/125(2006.01)I;H01S5/343(2006.01)I | 专利有效期 | 光子晶体纳腔量子环单光子发射器件及其制备方法 至光子晶体纳腔量子环单光子发射器件及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 光子晶体纳腔量子环单光子发射器件及其制备方法，属于量子信息学领域，为解决单量子点微腔的单光子源存在的问题，在衬底上依次生长缓冲层、下布拉格反射镜、光学缺陷层和上布拉格反射镜，上电极接触层生长在上布拉格反射镜上面周边区域，下电极接触层生长在衬底下面；表面横向二维光子晶体结构由微纳加工制成的空气孔洞-半导体构成，内部横向谐振腔光学尺度为量子环的增益波长的一半，横向二维光子晶体谐振腔模式波长与量子环的增益波长匹配；所述量子环位于光学缺陷层中间，并且位于上布拉格反射镜、下布拉格反射镜和横向二维光子晶体结构构成的三维纳腔中心；采用量子环作为发光介质，量子效率更高；量子环材料可以覆盖量子点无法覆盖的波段。 |
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