| 专利名称 | 硅纳米线阵列的移植及其简单器件制备的方法 | 申请号 | CN201310155802.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103337449A | 公开（授权）日 | 2013.10.02 | 申请（专利权）人 | 中国科学院合肥物质科学研究院 | 发明（设计）人 | 吴摞;滕大勇;李淑鑫;何微微;叶长辉 | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/02(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I | 专利有效期 | 硅纳米线阵列的移植及其简单器件制备的方法 至硅纳米线阵列的移植及其简单器件制备的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种硅纳米线阵列的移植及其简单器件制备的方法，利用清洁硅片上制备的多孔银膜作为催化金属，通过在氢氟酸/双氧水中蚀刻来制备硅纳米线阵列，高温水蒸气下氧化形成硅-氧化硅核壳结构，再放入高温氨水溶液中，通过氧化硅阻挡-银辅助氨水蚀刻，制备出与硅衬脱附的硅纳米线阵列结构。再利用表面涂有粘性物质的目标衬底来实现纳米线阵列移植；或使用绝缘物质来固定和支撑硅纳米线阵列及作为中间绝缘层，把硅纳米线阵列移植到表面涂有导电粘性物质的柔性衬底，再覆盖另一层导电物质，制备出简单的柔性的具有良好欧姆接触的导通电路器件。方法操作简单，成本低，可用于大规模生产。 |
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