| 专利名称 | 一种苯胺气体传感器及其制备方法 | 申请号 | CN201310168408.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103336034A | 公开（授权）日 | 2013.10.02 | 申请（专利权）人 | 中国科学院化学研究所 | 发明（设计）人 | 王科;李玉良;刘辉彪;李勇军 | 主分类号 | G01N27/12(2006.01)I | IPC主分类号 | G01N27/12(2006.01)I | 专利有效期 | 一种苯胺气体传感器及其制备方法 至一种苯胺气体传感器及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种苯胺气体传感器及其制备方法。所述气体传感器，其组成包括：绝缘衬底、设于绝缘衬底上的纳米材料层以及沉积于纳米材料层上的一对金属电极；其中，纳米材料层由核-壳结构的ZnS/PTCDA纳米粒子组成，ZnS为核，PTCDA为壳。制备方法如下：首先通过两步法在溶液中制备出一种ZnS/PTCDA核-壳纳米粒子，然后将ZnS/PTCDA核-壳纳米粒子旋涂到二氧化硅、玻璃、石英等绝缘衬底材料上，制备一层50～200纳米(nm)厚的薄膜材料，再镀上金属薄膜电极，即得到ZnS/PTCDA半导体气体传感器。该ZnS/PTCDA半导体气体传感器对苯胺具有很高的选择性和灵敏度，可以用来检测环境中的苯胺气体。 |
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