| 专利名称 | 一种用于全向连接的金属电容及布图方法 | 申请号 | CN201310259441.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103337491A | 公开（授权）日 | 2013.10.02 | 申请（专利权）人 | 中国科学院计算技术研究所 | 发明（设计）人 | 张昊;杨丽琼 | 主分类号 | H01L23/522(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L23/522(2006.01)I;H01L23/528(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 专利有效期 | 一种用于全向连接的金属电容及布图方法 至一种用于全向连接的金属电容及布图方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种金属电容，包括奇数层和偶数层上下两层插指电容，奇数层的上部和下部分别包括横向走线和多个插指，且该多个插指上下交错，偶数层的上部和下部分别包括横向连接走线和多个插指，且该多个插指上下交错，在上下交错的插指之间，还包括一连续蛇形走线，该蛇形走线位于插指之间，蛇形走线的两端分别连接一竖向连线；偶数层的多个插指与上下对应的奇数层的多个插指左右相互偏移一个单位，偶数层的蛇形走线与上下对应的奇数层的蛇形走线左右相互偏移一个单位。利用金属的寄生电容效应，增大相邻金属层的层叠面积，能够在有限的面积里获得尽可能大的电容，有效增大单位面积金属电容。 |
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