| 专利名称 | 含Bi热光伏电池的结构及其制备方法 | 申请号 | CN201310244093.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103337548A | 公开（授权）日 | 2013.10.02 | 申请（专利权）人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 发明（设计）人 | 赵勇明;董建荣;李奎龙;孙玉润;曾徐路;于淑珍;赵春雨;杨辉 | 主分类号 | H01L31/0687(2012.01)I | IPC主分类号 | H01L31/0687(2012.01)I;H01L31/0693(2012.01)I;H01L31/0304(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 专利有效期 | 含Bi热光伏电池的结构及其制备方法 至含Bi热光伏电池的结构及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及太阳能电池技术领域，尤其是提供一种热光伏电池的结构，其包括生长在InP衬底上并与所述InP衬底晶格匹配的InxGa1-xAs1-yBiy电池，所述InxGa1-xAs1-yBiy电池的禁带宽度为0.21～0.73eV。本发明还提供这种热光伏电池的制备方法。本发明采用与InP晶格匹配的InGaAsBi作为有源区材料；InGaAsBi覆盖禁带宽度为0.21～0.73eV，可针对特定的辐射源，优化带隙，获得更高的转换效率，能够满足热光伏系统的要求。 |
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