| 专利名称 | 一种八晶体管静态随机存储器单元 | 申请号 | CN201310242397.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103325788A | 公开（授权）日 | 2013.09.25 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 陈静;伍青青;罗杰馨;柴展;吕凯;王曦 | 主分类号 | H01L27/11(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L27/11(2006.01)I | 专利有效期 | 一种八晶体管静态随机存储器单元 至一种八晶体管静态随机存储器单元 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种八晶体管静态随机存储器单元，至少包括：第一反相器，由第一PMOS晶体管及第一NMOS晶体管组成；第二反相器，由第二PMOS晶体管及第二NMOS晶体管组成；传输门，由第三NMOS晶体管、第四NMOS晶体管第五NMOS晶体管及第六NMOS晶体管组成；其中，所述第一PMOS晶体管、第一NMOS晶体管、第二PMOS晶体管及第二NMOS晶体管均采用源体欧姆接触体引出结构。本发明在晶体管的源区进行与体区掺杂相同极性的重掺杂，实现源区与体区的欧姆接触，消除部分耗尽SOI晶体管的浮体效应，不需要额外增加工艺和版图，并保证了单元的高集成度。本发明与常规CMOS工艺兼容，适用于工业生产。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障