| 专利名称 | 一种高阻值材料的塞贝克系数的测试芯片 | 申请号 | CN201310197223.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103323486A | 公开（授权）日 | 2013.09.25 | 申请（专利权）人 | 中国科学院电子学研究所 | 发明（设计）人 | 崔大付;蔡浩原;李亚亭;陈兴;张璐璐;孙建海;任艳飞 | 主分类号 | G01N25/20(2006.01)I | IPC主分类号 | G01N25/20(2006.01)I | 专利有效期 | 一种高阻值材料的塞贝克系数的测试芯片 至一种高阻值材料的塞贝克系数的测试芯片 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种测量高电阻值材料的塞贝克系数的测试芯片。该芯片包括了芯片基底、两个温差加热电阻、两个样品固定装置、两个温度传感器。待测的高电阻值样品两端安装在两个样品固定装置间，实现良好的欧姆接触。芯片安装在塞贝克系数测试系统中，由温控装置将芯片加热到设定的测试温度。温差加热电阻按照设定的流程工作，在待测样品两端形成一定的温度梯度，高输入阻抗电压信号检测仪器采集在待测样品两端的塞贝克电压，同时，温度传感器测量待测样品两端的温度，根据测量得到的塞贝克电压信号和温差数据，可以求出被测材料的塞贝克系数。 |
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