| 专利名称 | 表面等离激元增强GaN基纳米柱LED及制备方法 | 申请号 | CN201310193912.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103325900A | 公开（授权）日 | 2013.09.25 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 于治国;赵丽霞;魏学成;王军喜;李晋闽 | 主分类号 | H01L33/06(2010.01)I | IPC主分类号 | H01L33/06(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I | 专利有效期 | 表面等离激元增强GaN基纳米柱LED及制备方法 至表面等离激元增强GaN基纳米柱LED及制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明一种表面等离激元增强GaN基纳米柱LED及制备方法，其中表面等离激元增强GaN基纳米柱LED，包括：一衬底；一GaN基LED结构纳米柱阵列，其制作在衬底上，该GaN基LED结构纳米柱阵列的一侧有一台面；一纳米柱侧壁隔离层，其制作在GaN基LED结构纳米柱阵列的侧壁上；一三明治结构填充层，其制作在纳米柱侧壁隔离层外，且填满GaN基LED结构纳米柱阵列的间隙，形成基片；一p面电极，其制作在基片的上表面；一n面电极，其制作在台面上。本发明可以独立于材料生长过程实现表面等离激元与GaN基LED的耦合，并且可以实现小于10nm的近距离耦合。 |
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