| 专利名称 | CMOS器件及其制造方法 | 申请号 | CN201210075694.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103325787A | 公开（授权）日 | 2013.09.25 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 徐秋霞;赵超;许高博 | 主分类号 | H01L27/092(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L27/092(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I | 专利有效期 | CMOS器件及其制造方法 至CMOS器件及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种CMOS器件，包括：第一MOSFET；与第一MOSFET类型不同的第二MOSFET；覆盖在第一MOSFET上的第一应力层，具有第一应力；覆盖在第二MOSFET上的第二应力层，其中第二应力层中具有掺杂离子，从而具有与第一应力不同的第二应力。依照本发明的CMOS器件及其制造方法，利用分区离子注入方法实现了双应力垫层，无需光刻/刻蚀去除PMOS区的张应力层或NMOS区的压应力层，简化了工艺，降低了成本，同时也避免了沉积工艺的热过程对NMOS区或PMOS区垫层中应力可能造成的破坏。 |
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