| 专利名称 | 一种实现高亮度水平远场单瓣分布的光子晶体激光器阵列 | 申请号 | CN201310242803.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103326244A | 公开（授权）日 | 2013.09.25 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 郑婉华;刘磊;张建心;渠红伟 | 主分类号 | H01S5/40(2006.01)I | IPC主分类号 | H01S5/40(2006.01)I | 专利有效期 | 一种实现高亮度水平远场单瓣分布的光子晶体激光器阵列 至一种实现高亮度水平远场单瓣分布的光子晶体激光器阵列 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及半导体光电子器件技术领域，公开了一种实现高亮度水平远场单瓣分布的光子晶体激光器阵列。该阵列利用光子晶体对激光器阵列输出的模式进行相位调制，产生高亮度且水平远场单瓣分布的激光输出。该阵列包含三个部分：模式耦合区、光子晶体区和发射区。模式耦合区产生稳定的反相模式，经过光子晶体区的调制而转换成同相位分布的模式，转换后的模式在发射区输出一个窄发散角的单瓣远场图案。所述模式耦合区、光子晶体区和发射区的波导均通过传统光电子普通光刻及刻蚀工艺完成。利用本发明可有效解决半导体边发射激光器阵列输出功率过高时出现的水平方向远场双瓣分布、发散角大的缺点，产生高亮度的激光。预期激光亮度将提高一个数量级。 |
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