| 专利名称 | Bi元素调控GaAs基纳米线晶体结构的分子束外延生长方法 | 申请号 | CN201310251573.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103320866A | 公开（授权）日 | 2013.09.25 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 发明（设计）人 | 陈平平;卢振宇;陆卫;石遂兴;周孝好 | 主分类号 | C30B29/62(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B29/62(2006.01)I;C30B29/42(2006.01)I;C30B23/02(2006.01)I | 专利有效期 | Bi元素调控GaAs基纳米线晶体结构的分子束外延生长方法 至Bi元素调控GaAs基纳米线晶体结构的分子束外延生长方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种Bi元素调控GaAs基纳米线晶体结构的分子束外延生长方法，在MBE生长室生长纳米线过程中引入Bi元素作为活性剂，减小GaAs的离子性，促进纳米线闪锌矿结构的形成，其特征在于：在所述的纳米线生长过程中根据Ga元素的束流等效分压，调节Bi蒸发源温度来调控其束流等效分压，以使Bi元素与Ga元素的束流等效分压之比为x，x的值将影响Bi元素对纳米线晶体结构的调控能力以及影响纳米线的形貌和相结构纯度。本方法的有益效果在于：在MBE中不需要改变生长工艺条件即可轻松实现闪锌矿晶体结构的GaAs基纳米线生长，有利于纤锌矿和闪锌矿结构GaAs基纳米线的可控生长及其同质异相异质结结构的形成，为制备纳米级光电子器件提供优异的材料。 |
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