| 专利名称 | 一种半导体结构及其制造方法 | 申请号 | CN201210080996.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103325684A | 公开（授权）日 | 2013.09.25 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 殷华湘;马小龙;秦长亮;徐秋霞;陈大鹏 | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 专利有效期 | 一种半导体结构及其制造方法 至一种半导体结构及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种半导体结构，包括衬底；栅堆叠，位于所述衬底之上；侧墙，位于所述栅堆叠的侧壁上；源/漏扩展区，位于所述栅堆叠两侧的衬底中，通过外延生长形成；源/漏区，位于所述源/漏扩展区两侧的衬底中。相应地，本发明还提供了形成该半导体结构的制造方法。本发明可以形成掺杂浓度高、结深浅的源/漏扩展区，从而有效地提高了半导体结构的性能。 |
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