| 专利名称 | Mo微纳米线/CuZnAl记忆合金复合材料及其制备方法 | 申请号 | CN201310251810.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103320724A | 公开（授权）日 | 2013.09.25 | 申请（专利权）人 | 中国石油大学(北京);中国科学院金属研究所 | 发明（设计）人 | 杨峰;倪丁瑞;马宗义;崔立山 | 主分类号 | C22C47/00(2006.01)I | IPC主分类号 | C22C47/00(2006.01)I;C22C49/00(2006.01)I;C22C111/02(2006.01)N | 专利有效期 | Mo微纳米线/CuZnAl记忆合金复合材料及其制备方法 至Mo微纳米线/CuZnAl记忆合金复合材料及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种Mo微纳米线/CuZnAl记忆合金复合材料及其制备方法。该Mo微纳米线/CuZnAl记忆合金复合材料的制备方法包括以下步骤：采用搅拌摩擦加工使Mo粉末掺入到CuZnAl复合材料板材中，得到Mo/CuZnAl复合材料；对所述Mo/CuZnAl复合材料依次进行轧制、拔丝，得到所述的Mo微纳米线/CuZnAl记忆合金复合材料。该Mo微纳米线/CuZnAl记忆合金复合材料由该制备方法所制备得到。本发明采用搅拌摩擦+轧制+拔丝的制备方法，使复合材料中的Mo微纳米线沿轴向均匀分布在CuZnAl形状记忆合金基体中。 |
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