| 专利名称 | 一种CdSnO3纳米材料及其制备方法和应用 | 申请号 | CN201310155725.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103303968A | 公开（授权）日 | 2013.09.18 | 申请（专利权）人 | 中国科学技术大学 | 发明（设计）人 | 王琳琳;唐凯斌 | 主分类号 | C01G19/00(2006.01)I | IPC主分类号 | C01G19/00(2006.01)I;H01M4/48(2010.01)I;B82Y30/00(2011.01)I;B82Y40/00(2011.01)I | 专利有效期 | 一种CdSnO3纳米材料及其制备方法和应用 至一种CdSnO3纳米材料及其制备方法和应用 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种CdSnO3纳米材料及其制备方法和应用，包括以下步骤：首先采用水热法制备孔状CdSn(OH)6前驱体；然后将获得的孔状CdSn(OH)6纳米粒子进行煅烧，即可得到高度介孔的CdSnO3纳米粒子。由本发明方法获得的CdSnO3纳米负极材料，其孔径范围大约为7.8nm～28.7nm，显示了较高的比容量、好的倍率性能和循环稳定性，可用于下一代高性能锂离子电池的负极材料，具有广阔的应用前景；且本发明所述制备方法无需特殊设备和苛刻条件，工艺简单，可控性强，原材料丰富且价格低廉，容易实现大规模生产，具有很强的实用性。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
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