| 专利名称 | 半导体器件 | 申请号 | CN201190000081.5 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN203205398U | 公开（授权）日 | 2013.09.18 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 尹海洲;朱慧珑;骆志炯 | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/768(2006.01)I;H01L21/3105(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I | 专利有效期 | 半导体器件 至半导体器件 | 法律状态 | 说明书摘要 | 提供一种半导体器件，所述半导体器件包括衬底（201）、栅堆叠（210）、源区（241）、漏区（242）、接触塞（230）和层间介质（260）。所述栅堆叠（210）形成在衬底（201）上，所述源区（241）和漏区（242）位于栅堆叠（210）两侧并嵌于衬底（201）中，所述接触塞（230）嵌于所述层间介质（260）中。所述接触塞（230）包括第一部（280），所述第一部（280）连接所述源区（241）和漏区（242），所述第一部（280）的上表面与所述栅堆叠（210）的上表面齐平，且所述第一部（280）的侧壁与底壁的夹角小于90°。所述第一部（280）与所述源区（241）和/或漏区（242）的接触面积增大，有利于减小接触电阻。所述第一部（280）的顶部与所述栅堆叠（210）之间的距离增大，有利于降低所述第一部（280）的顶部与所述栅堆叠（210）之间短路的可能性。 |
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