| 专利名称 | 半导体器件制造方法 | 申请号 | CN201210067438.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103311123A | 公开（授权）日 | 2013.09.18 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 殷华湘;任哲;徐秋霞;陈大鹏 | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/336(2006.01)I | 专利有效期 | 半导体器件制造方法 至半导体器件制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种半导体器件制造方法，包括：在衬底上形成第二组硬掩膜层；在第二组硬掩膜层上形成第一组硬掩膜层；光刻/刻蚀第一组硬掩膜层，形成第一组线条；以第一组线条为掩膜，光刻/刻蚀第二组硬掩膜层，形成第二组线条，其中第二组线条宽度小于第一组线条宽度；以第二组线条为掩膜，刻蚀衬底，形成鳍片。依照本发明的半导体器件制造方法，采用多重结构掩膜，以两次侧墙掩蔽来刻蚀图形化，从而获得了小于光刻极限尺寸的纳米线条。工艺简单，精度高，并且兼容性高。 |
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