| 专利名称 | 半导体器件及其制造方法 | 申请号 | CN201210067773.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103311282A | 公开（授权）日 | 2013.09.18 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 殷华湘;赵超;陈大鹏 | 主分类号 | H01L29/423(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/423(2006.01)I;H01L27/115(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I | 专利有效期 | 半导体器件及其制造方法 至半导体器件及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种半导体器件，包括衬底、衬底上的多个栅极堆叠结构、每个栅极堆叠结构两侧衬底中的多个源漏区、衬底上的层间介质层，其特征在于：源漏区沿第一方向分布，栅极堆叠结构沿垂直于第一方向的第二方向延伸，并且栅极堆叠结构进一步包括，隧穿介质层、存储介质层、栅极层间电介质层以及控制栅。依照本发明的半导体器件及其制造方法，采用后栅工艺形成存储器的栅极结构，有效保护了超薄的栅极不受后续工艺影响，提高了器件的可靠性并降低了P/E电压。 |
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