| 专利名称 | 高质量低表面粗糙度的硅基砷化镓材料的制备方法 | 申请号 | CN201310176608.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103311106A | 公开（授权）日 | 2013.09.18 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 周旭亮;于红艳;米俊萍;潘教青;王圩 | 主分类号 | H01L21/205(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/205(2006.01)I;C30B25/18(2006.01)I | 专利有效期 | 高质量低表面粗糙度的硅基砷化镓材料的制备方法 至高质量低表面粗糙度的硅基砷化镓材料的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种高质量低表面粗糙度的硅基砷化镓材料的制备方法，包括以下步骤：步骤1：在硅衬底上生长锗层；步骤2：将生长了锗层的硅衬底放入MOCVD反应室中，进行第一次退火；步骤3：在锗层上依次生长低温砷化镓成核层和高温砷化镓层，形成样品；步骤4：将样品进行抛光，清洗；步骤5：将样品放入MOCVD反应室，进行第二次退火；步骤6：在样品表面生长砷化镓盖层，完成材料的制备。本发明可以解决硅衬底向III-V族材料过渡问题，为硅基砷化镓光电子和微电子器件奠定衬底基础。 |
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