| 专利名称 | 基于BBO晶体的非线性倍频器 | 申请号 | CN201310231278.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103311793A | 公开（授权）日 | 2013.09.18 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 林学春;李梦龙;侯玮;汪楠;晏诗恋;孙伟;于海娟 | 主分类号 | H01S3/109(2006.01)I | IPC主分类号 | H01S3/109(2006.01)I | 专利有效期 | 基于BBO晶体的非线性倍频器 至基于BBO晶体的非线性倍频器 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种基于BBO晶体的非线性倍频器，用于谐振腔内倍频的产生，该非线性晶体倍频器包括第一BBO晶体、偏振方向旋转装置和第二BBO晶体，其中：将第二BBO晶体沿通光方向旋转90°，然后和第一BBO晶体对称放置于该偏振方向旋转装置的两侧。利用本发明，第一BBO晶体和第二BBO晶体的参数完全一样，所以基频光在谐振腔中经历多个周期后，基频光的倍频转换效率将得到良好的补偿，倍频光斑沿线段AB方向的拉长程度与沿线段AD方向的拉长程度将趋向一致，倍频光斑将呈现出良好的圆形，即此倍频器可以实现较高的倍频转换效率以及良好的倍频光光束质量。 |
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