| 专利名称 | 一种湿法腐蚀样品的Si衬底的方法 | 申请号 | CN201310172441.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103311117A | 公开（授权）日 | 2013.09.18 | 申请（专利权）人 | 中国科学院物理研究所 | 发明（设计）人 | 丁伟;郭红莲;甘霖;李志远 | 主分类号 | H01L21/306(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/306(2006.01)I | 专利有效期 | 一种湿法腐蚀样品的Si衬底的方法 至一种湿法腐蚀样品的Si衬底的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种湿法腐蚀Si衬底的方法，包括：1）在与Si衬底相反一侧的功能层上涂覆光刻胶层，并使其干燥；2）在Si衬底及功能层外周形成环氧树脂包裹层；3）在Si衬底侧的包裹层中形成开口，暴露硅衬底；4）利用刻蚀剂对暴露的硅衬底进行腐蚀；5）暴露出涂覆在功能层上的光刻胶层，使该光刻胶层溶解；6）使所述环氧树脂包裹层脱落。 |
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