| 专利名称 | 多波长激光器阵列芯片的制作方法 | 申请号 | CN201310230999.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103311807A | 公开（授权）日 | 2013.09.18 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 梁松;张灿;韩良顺;朱洪亮;王圩 | 主分类号 | H01S5/40(2006.01)I | IPC主分类号 | H01S5/40(2006.01)I;H01S5/20(2006.01)I | 专利有效期 | 多波长激光器阵列芯片的制作方法 至多波长激光器阵列芯片的制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种多波长激光器阵列芯片的制作方法，包括：步骤1：在衬底上依次生长缓冲层、下分别限制层及多量子阱层；步骤2：将一部分多量子阱层腐蚀掉，该腐蚀掉的部分为无源光合波器区，剩余的部分为有源区；步骤3：在保留的多量子阱层上制作介质掩膜对；步骤4：在无源光合波器区和有源区的上表面上外延生长上分别限制层；步骤5：去掉暴露的介质掩膜对，在有源区的上分别限制层上制作光栅；步骤6：在上分别限制层上外延包层及接触层；步骤7：在有源区的接触层上刻蚀有源波导，在无源光合波器区的接触层上刻蚀无源光合波器波导，刻蚀深度大于包层和接触层的厚度；步骤8：在有源波导波导上制作P电极；步骤9：将衬底减薄，在减薄后的衬底的背面并制作N电极，完成制备。 |
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