| 专利名称 | 薄膜光电导探测器及其制备方法与应用 | 申请号 | CN201310183177.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103311439A | 公开（授权）日 | 2013.09.18 | 申请（专利权）人 | 中国科学院化学研究所 | 发明（设计）人 | 靳志文;王吉政;张志国 | 主分类号 | H01L51/46(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L51/46(2006.01)I;H01L51/48(2006.01)I | 专利有效期 | 薄膜光电导探测器及其制备方法与应用 至薄膜光电导探测器及其制备方法与应用 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种薄膜光电导探测器及其制备方法与应用。该薄膜光电导探测器，由下至上依次包括基底、载流子传输层、电极层和吸光层；电极层由位于同一层的正极层和负极层组成。该探测器结合了无机材料的高迁移率与有机材料的高吸光，当光照射到光电器件的有机层上时，最上层的有机材料吸光产生载流子，由于有机层与无机层间的能级差与载流子的浓度差，光生载流子进入无机材料层，并很快的被电极收集从而有很大的G和R值。同时，因为无机材料高的迁移率，使的器件的光电流响应时间和衰减时间也大大减小，从而提高了薄膜光导器件的灵敏度，具有重要的应用价值。 |
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