| 专利名称 | 半导体器件及其制造方法 | 申请号 | CN201210067312.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103311247A | 公开（授权）日 | 2013.09.18 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 殷华湘;徐秋霞;赵超;陈大鹏 | 主分类号 | H01L27/092(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L27/092(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I | 专利有效期 | 半导体器件及其制造方法 至半导体器件及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种半导体器件，包括衬底、衬底上的多个栅极堆叠结构、每个栅极堆叠结构两侧的多栅极侧墙结构、每个栅极侧墙结构两侧衬底中的多源漏区，多个栅极堆叠结构包括多个第一栅极堆叠结构和多个第二栅极堆叠结构，其中第一栅极堆叠结构包括第一栅极绝缘层、第一功函数金属层、第二功函数金属扩散阻挡层、栅极填充层，该功函数接近价带(导带)边。第二栅极堆叠结构包括第二栅极绝缘层、改性的第一功函数金属层、第二功函数金属层、栅极填充层，其特征在于：第二功函数金属层包括注入的调节功函数掺杂离子，同时部分扩散到其下的第一功函数层调节阈值，使该栅极的功函数接近导带(价带)边与原有的第一功函数相对，从而精确调节栅极功函数。 |
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