| 专利名称 | 阻变存储器的制造方法 | 申请号 | CN201210058676.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103311433A | 公开（授权）日 | 2013.09.18 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 刘明;赵盛杰;谢常青;刘琦;吕航炳;张满红;霍宗亮;胡媛 | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L45/00(2006.01)I | 专利有效期 | 阻变存储器的制造方法 至阻变存储器的制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种阻变存储器的制造方法，所述方法包括：形成第一电极；在所述第一电极上形成阻变功能层，其中，所述阻变功能层包括至少一层第一二元金属氧化物以及至少一层第二二元金属氧化物，且所述第一二元金属氧化物与第二二元金属氧化物交替层叠；进行热退火工艺；在所述阻变功能层上形成第二电极。不同的金属氧化物的金属离子存在差异，通过退火工艺，在两种金属氧化物的界面处发生扩散，形成复合的介电中间物，形成结构缺陷，从而优化阻变功能层的电学特性，提高转变参数的均匀性。 |
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