| 专利名称 | 一种自对准石墨烯场效应晶体管及其制备方法 | 申请号 | CN201310226455.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103311276A | 公开（授权）日 | 2013.09.18 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 金智;彭松昂;麻芃;张大勇;史敬元;陈娇 | 主分类号 | H01L29/16(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/16(2006.01)I;H01L29/772(2006.01)I;H01L21/32(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I | 专利有效期 | 一种自对准石墨烯场效应晶体管及其制备方法 至一种自对准石墨烯场效应晶体管及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种自对准石墨烯场效应晶体管及其制备方法，该自对准石墨烯场效应晶体管包括半导体衬底、绝缘层、导电通道、源电极、漏电极、栅介质层、栅金属和自对准金属，其中，绝缘层形成于半导体衬底上，导电沟道形成于绝缘体上，导电沟道由石墨烯构成，源电极和漏电极分别形成于导电通道的两侧，栅介质层选择性沉积在源电极和漏电极之间的导电沟道上，栅金属形成于栅介质层之上，栅介质层与栅金属同时图形化堆砌在一起形成栅堆积层，对沟道区载流子浓度进行调控；自对准金属层覆盖源电极、漏电极、导电通道以及栅金属之上，减小未被栅条覆盖区域面积，实现器件栅与源漏的自对准。 |
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