| 专利名称 | Si衬底三结级联太阳电池及其制作方法 | 申请号 | CN201310210307.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103311354A | 公开（授权）日 | 2013.09.18 | 申请（专利权）人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 发明（设计）人 | 赵勇明;董建荣;李奎龙;孙玉润;曾徐路;于淑珍;赵春雨;杨辉 | 主分类号 | H01L31/0687(2012.01)I | IPC主分类号 | H01L31/0687(2012.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 专利有效期 | Si衬底三结级联太阳电池及其制作方法 至Si衬底三结级联太阳电池及其制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及光伏技术领域，尤其是指一种Si衬底三结级联太阳电池，包括按照远离Si衬底10的方向依次在Si衬底上生长的第一过渡层、GeSi底电池、第二过渡层、第一隧道结、GaAs中间电池、第二隧道结、GaInP顶电池、GaAs接触层。本发明采用Si衬底制作的三结级联太阳能电池，实现带隙能量分别为1.89eV/1.42eV/1.0eV，获得高电压、低电流输出，从而有效降低超高倍聚光太阳电池中的电阻损失，实现较高的光电转换效率。 |
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