| 专利名称 | 三结级联太阳能电池及其制备方法 | 申请号 | CN201310207650.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103311353A | 公开（授权）日 | 2013.09.18 | 申请（专利权）人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 发明（设计）人 | 于淑珍;董建荣;李奎龙;孙玉润;曾徐路;赵勇明;赵春雨;杨辉 | 主分类号 | H01L31/0687(2012.01)I | IPC主分类号 | H01L31/0687(2012.01)I;H01L31/0693(2012.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 专利有效期 | 三结级联太阳能电池及其制备方法 至三结级联太阳能电池及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及太阳能技术领域，尤其是几种三结级联太阳能电池，其包括在GaAs衬底上依次生长的底电池层、第一隧道结、中间电池层、第二隧道结、顶电池层及GaAs接触层；所述GaAs衬底底部设有下欧姆电极及所述GaAs接触层顶部还设有上欧姆电极、抗反射膜。本发明还提供这几种太阳能电池的制备方法。本发明实现对太阳光谱的分段吸收利用，各个子电池间的电流匹配，每个电池层与GaAs晶格匹配，可获得较高的电池效率，是一种潜在的理想的太阳能电池材料。 |
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