| 专利名称 | 硅基横向纳米线多面栅晶体管及其制备方法 | 申请号 | CN201310233363.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103311305A | 公开（授权）日 | 2013.09.18 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 韩伟华;王昊;马刘红;洪文婷;杨晓光;杨涛;杨富华 | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;B82Y10/00(2011.01)I | 专利有效期 | 硅基横向纳米线多面栅晶体管及其制备方法 至硅基横向纳米线多面栅晶体管及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种硅基横向纳米线多面栅晶体管及其制备方法。该硅基横向纳米线多面栅晶体管通过化学腐蚀形成相对的两具有硅(111)晶面的端面，在该相对的两硅(111)晶面之间实现了III-V材料纳米线横向生长并形成桥接结构，从而容易实现多面金属栅在平面上的逻辑集成。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障