| 专利名称 | Ag-TCNQ一维纳米晶的制备方法及其应用 | 申请号 | CN201310199689.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103305920A | 公开（授权）日 | 2013.09.18 | 申请（专利权）人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 发明（设计）人 | 吴浩迪;潘革波;肖燕 | 主分类号 | C30B29/62(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B29/62(2006.01)I | 专利有效期 | Ag-TCNQ一维纳米晶的制备方法及其应用 至Ag-TCNQ一维纳米晶的制备方法及其应用 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种Ag-TCNQ一维纳米晶的制备方法及其应用。该制备方法可包括：取TCNQ的有机溶液与AgOTf的有机溶液混合，并加入水混合均匀，常温静置24h～48h，再分离出固形物，经乙腈等清洗后获得Ag-TCNQ一维纳米晶。该制备方法可用以制备有机电子器件。本发明工艺简单，易于操作，无需特殊的反应设备，反应条件温和，在常温下即可进行，适于工业化生产，并且最终产物纯度高，不含杂质，表面光滑，尺寸分布均一，具有很好的电学存储性能。 |
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