| 专利名称 | 采用KOH溶液的硅基MEMS器件湿法释放方法 | 申请号 | CN201210062362.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103303858A | 公开（授权）日 | 2013.09.18 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 尚海平;焦斌斌;卢迪克;李志刚;刘瑞文;陈大鹏 | 主分类号 | B81C1/00(2006.01)I | IPC主分类号 | B81C1/00(2006.01)I | 专利有效期 | 采用KOH溶液的硅基MEMS器件湿法释放方法 至采用KOH溶液的硅基MEMS器件湿法释放方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种采用KOH溶液的硅基MEMS器件湿法释放方法，硅基MEMS器件具有硅衬底，硅衬底的上表面有已经制备完成的电路结构层，该方法包括以下步骤：对硅衬底的下表面进行机械抛光，在硅衬底的下表面形成有机械损伤层；先采用光刻胶覆盖于电路结构层上，接着使用硅腐蚀液去除机械损伤层，然后去除光刻胶；在去除了所述机械损伤层后的硅衬底的下表面生长抗KOH溶液腐蚀膜并将其图形化；最后采用水浴加热的KOH溶液完成湿法释放工艺。本发明利用现有设备、工艺流程简单、节约工艺时间、生产成本低廉，并与传统微细加工工艺兼容的采用KOH溶液的硅基MEMS器件湿法释放工艺，从而进一步提高生产效率。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障