| 专利名称 | 三维有序贵金属纳米管阵列电极及其制备方法 | 申请号 | CN201310177510.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103303861A | 公开（授权）日 | 2013.09.18 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 祝迎春;王云丽 | 主分类号 | B81C1/00(2006.01)I | IPC主分类号 | B81C1/00(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I;B82Y40/00(2011.01)I;C25D5/00(2006.01)I | 专利有效期 | 三维有序贵金属纳米管阵列电极及其制备方法 至三维有序贵金属纳米管阵列电极及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种三维有序贵金属纳米管阵列电极，包括贵金属纳米管阵列和平面基底电极，其中所述贵金属纳米管阵列直接生长固定在所述平面基底电极的表面上。其制备方法包括：将多孔膜固定在电极表面；通过电化学沉积在电极表面直接向多孔膜的孔道内生长纳米短棒阵列；向多孔膜的孔道内继续化学沉积或电化学沉积合金纳米管；对合金纳米管阵列电极去合金化，得到具有管壁带孔的贵金属纳米管阵列电极；在除膜液中去除多孔膜模板，得到与电极整合一体的三维有序贵金属纳米管阵列电极。本发明的纳米管阵列直接生长在基底电极上，并且由于孔壁纳米管具有特殊结构，此阵列电极应用于电化学传感器及生物传感器研究，将会得到稳定、可信的响应信号。 |
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