| 专利名称 | 一种可调控能带的LED量子阱结构 | 申请号 | CN201310244179.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103296165A | 公开（授权）日 | 2013.09.11 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 张连;曾建平;路红喜;王军喜;李晋闽 | 主分类号 | H01L33/06(2010.01)I | IPC主分类号 | H01L33/06(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I | 专利有效期 | 一种可调控能带的LED量子阱结构 至一种可调控能带的LED量子阱结构 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种提高发光二极管有源区多量子阱中辐射复合效率的可调控能带的量子阱结构及其外延生长方法。该可调控能带的LED量子阱结构包括至少一个组分渐变的量子阱势阱层，实现对量子阱区域的能带调控，提高量子阱有源区中的电子空穴波函数叠加，提高LED量子阱区域的辐射复合效率。该多量子阱结构可应用于InGaN基蓝光和绿光LED，提高InGaN基蓝光和绿光LED有源区的内量子效率，进而提高LED的功率和效率。 |
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