| 专利名称 | 带有EBG的屏蔽结构、3D封装结构及其制备方法 | 申请号 | CN201210043664.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103296009A | 公开（授权）日 | 2013.09.11 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 李君;万里兮;郭学平 | 主分类号 | H01L23/552(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L23/552(2006.01)I | 专利有效期 | 带有EBG的屏蔽结构、3D封装结构及其制备方法 至带有EBG的屏蔽结构、3D封装结构及其制备方法 | 法律状态 | 专利申请权、专利权的转移 | 说明书摘要 | 本发明提供一种带有EBG的屏蔽结构、3D封装结构及其制备方法，所述带有EBG的屏蔽结构包括绝缘层及至少两金属平面；其中，至少一金属平面蚀刻有周期性EBG结构；所述金属平面之间设置有绝缘层。所述制备带有EBG屏蔽结构的方法包括制备至少一层金属平面；制备中间绝缘层；制备至少一层带有周期性EBG结构的金属平面。所述一种3D封装结构，包括带有EBG的屏蔽结构、裸芯片、互联基板；所述裸芯片键合在所述互联基板上，所述裸芯片与所述屏蔽结构连接。还提供一种3D封装的制备方法。本发明能有效降低垂直3D互联封装中芯片间的近场耦合问题。 |
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