| 专利名称 | 一种功率MOSFET器件串联电阻的测试电路 | 申请号 | CN201310219259.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103293383A | 公开（授权）日 | 2013.09.11 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 温景超;王立新;周虹珊 | 主分类号 | G01R27/02(2006.01)I | IPC主分类号 | G01R27/02(2006.01)I | 专利有效期 | 一种功率MOSFET器件串联电阻的测试电路 至一种功率MOSFET器件串联电阻的测试电路 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种功率MOSFET器件串联电阻的测试电路，属于半导体器件测试技术领域。所述测试电路包括脉冲发生器、相位显示器、电压波形数字转换器、电流波形数字转换器、可调电感、第一选通开关和第二选通开关；脉冲发生器的信号端通过串联电流波形数字转换器、可调电感与第一选通开关的固定端电连接；第一选通开关的两个选择端分别与栅极和漏极电连接；第二选通开关的两个选择端分别与源极和漏极电连接；电压波形数字转换器的一端与可调电感电连接；相位显示器电压输入端的一端与可调电感电连接，另一端接地；相位显示器电流输入端与可调电感电连接。本发明为评估器件性能提供重要参数指标，对器件设计和提高器件开关特性具有重要意义。 |
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4、专员跟进，交易保障