| 专利名称 | 一种解理装置 | 申请号 | CN201310219185.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103296578A | 公开（授权）日 | 2013.09.11 | 申请（专利权）人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 发明（设计）人 | 黄宏娟;赵德胜;张宝顺 | 主分类号 | H01S5/02(2006.01)I | IPC主分类号 | H01S5/02(2006.01)I | 专利有效期 | 一种解理装置 至一种解理装置 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及半导体制备技术，尤其是提供一种解理装置，用于将半导体巴条解理为若干个芯片，其包括：一负压源，以及，一吸附腔体，通过一连接管与所述负压源连接；所述吸附腔体包括第一上盖和第二上盖，所述第一上盖与所述第二上盖成一夹角相互支撑形成脊部；所述第一上盖、第二上盖分别设有若干个通孔与跨设于所述第一上盖、第二上盖上的巴条对应，通过所述吸附腔体对巴条的吸附力，实现巴条以脊部为支点进行自然解理。本通过吸附作用对芯片结构面实现非接触式解理，可保护样品表面的结构不被损坏和提高良率。 |
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