| 专利名称 | 一种离子敏传感器及其制作方法 | 申请号 | CN201310163267.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103293209A | 公开（授权）日 | 2013.09.11 | 申请（专利权）人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 发明（设计）人 | 张珽;于薇;李光辉;刘瑞;沈方平;其他发明人请求不公开姓名 | 主分类号 | G01N27/414(2006.01)I | IPC主分类号 | G01N27/414(2006.01)I | 专利有效期 | 一种离子敏传感器及其制作方法 至一种离子敏传感器及其制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种离子敏传感器，包括上下层叠氧化硅层和硅衬底；间隔设置于所述氧化硅层上的源极、漏极；以及设置于所述源极、漏极之间的氧化硅层表面的石墨烯层，所述石墨烯层分别与所述源极插齿部、漏极插齿部连接；所述石墨烯层表层渗透有金属氧化物颗粒；以及微流控沟道层，架设于包覆有绝缘层的源极插齿部、漏极插齿部上，并与所述石墨烯层配合形成用于容纳待测物的空腔；所述微流控沟道层上还开设有通孔；悬浮栅极，插入所述通孔并伸至所述空腔内。本发明具有类场效应晶体管的结构，实现了高通量、高灵敏度，短响应时间等优点。 |
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