| 专利名称 | 基于混合晶向SOI及沟道应力的器件系统结构及制备方法 | 申请号 | CN201210046230.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103295964A | 公开（授权）日 | 2013.09.11 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 卞剑涛;狄增峰;张苗 | 主分类号 | H01L21/8238(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/8238(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/04(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I | 专利有效期 | 基于混合晶向SOI及沟道应力的器件系统结构及制备方法 至基于混合晶向SOI及沟道应力的器件系统结构及制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种基于混合晶向SOI及沟道应力的器件系统结构及制备方法。根据本发明的制备方法，首先制备（100）/（110）全局混晶SOI结构；接着，在全局混晶SOI结构上依次外延弛豫的锗硅层和应变硅层后，再形成（110）外延图形窗口，并在（110）外延图形窗口处外延（110）硅层及非弛豫的锗硅层后，使图形化混晶SOI结构表面平坦化，接着再形成隔离器件的隔离结构，最后在（110）衬底部分制备P型高压器件结构、在（100）衬底部分制备N型高压器件结构和/或低压器件结构，由此可有效提高各器件的载流子迁移率，改善高压器件的Rdson，提高各器件性能，有利于进一步提高集成度、降低功耗。 |
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