| 专利名称 | TSV或TGV转接板，3D封装及其制备方法 | 申请号 | CN201210042080.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103296008A | 公开（授权）日 | 2013.09.11 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 李君;万里兮;郭学平 | 主分类号 | H01L23/552(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L23/552(2006.01)I;H05K9/00(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 专利有效期 | TSV或TGV转接板，3D封装及其制备方法 至TSV或TGV转接板，3D封装及其制备方法 | 法律状态 | 专利申请权、专利权的转移 | 说明书摘要 | 本发明提供一种TSV或TGV转接板，3D封装及其制备方法，其中，带有EBG的屏蔽结构的TSV或TGV转接板包括TSV或TGV转接板，以及所述EBG的屏蔽结构；所述带有EBG的屏蔽结构制备在所述TSV或TGV转接板中，或制备在所述TSV或TGV转接板两侧；所述EBG的屏蔽结构包括绝缘层及至少两金属平面；其中，至少一金属平面蚀刻有周期性EBG结构；所述金属平面之间设置有绝缘层。本发明还提供一种TSV或TGV转接板制备方法，一种3D封装及其制备方法。本发明能有效降低垂直3D互联封装中芯片间的近场耦合问题。 |
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