| 专利名称 | 一种凹槽式的硅纳米晶存储器及其制作方法 | 申请号 | CN201310224594.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103296029A | 公开（授权）日 | 2013.09.11 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 王永;刘明;霍宗亮;刘璟;张满红;张康玮 | 主分类号 | H01L27/115(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L27/115(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I | 专利有效期 | 一种凹槽式的硅纳米晶存储器及其制作方法 至一种凹槽式的硅纳米晶存储器及其制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种凹槽式的硅纳米晶存储器及其制作方法，该硅纳米晶存储器包括：刻蚀硅衬底表面而形成的凹槽；形成于该凹槽之中的硅纳米晶存储器的主体结构，该主体结构自下而上依次包括隧穿氧化层、硅纳米晶和栅间氧化层；覆盖于该硅衬底的凹槽区域之上的多晶硅栅；以及形成于该凹槽两侧硅衬底之中的源极和漏极。利用本发明，只需要在衬底上先刻蚀一个凹槽，再在凹槽上制作器件，方法简单，而且与传统CMOS工艺完全兼容，器件存储特性好，可靠性高，非常适合大规模生产的广泛应用，可以彻底避免外围器件制作过程中笑脸效应对硅纳米晶的氧化，使得器件的存储特性等到保证。 |
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