| 专利名称 | 围栅结构的鳍式半导体器件的制造方法 | 申请号 | CN201210055827.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103295903A | 公开（授权）日 | 2013.09.11 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 刘佳;骆志炯;王鹤飞 | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 专利有效期 | 围栅结构的鳍式半导体器件的制造方法 至围栅结构的鳍式半导体器件的制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明实施例公开了一种围栅结构的鳍式半导体器件的制造方法，利用体衬底(Bulk?substrate)形成鳍后，通过多层掩膜及刻蚀仅暴露出鳍的下部的部分区域，通过该暴露的区域将鳍的下部刻蚀出穿孔来，并在穿孔下形成绝缘层，通过穿孔，从而进一步形成可以包围鳍的围栅结构，实现了体衬底上制造围栅结构的鳍式半导体器件，降低了成本。 |
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