| 专利名称 | 电容式加速度传感器的传感部件、制作方法及其应用 | 申请号 | CN201310264211.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103293338A | 公开（授权）日 | 2013.09.11 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 李铁;俞骁;王跃林 | 主分类号 | G01P15/125(2006.01)I | IPC主分类号 | G01P15/125(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I | 专利有效期 | 电容式加速度传感器的传感部件、制作方法及其应用 至电容式加速度传感器的传感部件、制作方法及其应用 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种电容式加速度传感器的传感部件、制作方法及其应用，本发明采用单晶硅纳米线支撑的质量块作为传感部件核心部分，在（111）单晶硅衬底上刻蚀出微米量级的支撑梁，并利用（111）硅片内的晶向分布特点，采用单晶硅各向异性腐蚀和自限制氧化技术将支撑梁细化成具有高成品率和高质量的单晶硅纳米线，使得单晶硅纳米线在传感方向上具有比现有技术中数微米厚度的悬臂梁小得多的刚度，则本发明与传统结构相比，在同样的器件尺寸下能够达到更高的灵敏度，或者在同样的灵敏度下能够实现更小的器件尺寸，在提高该类传感器性能、集成度方面具有应用前景；同时，本发明工艺简单高效，可与体硅加工工艺相兼容，易于实现本发明的大规模制作。 |
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