| 专利名称 | TE偏振光谱选择性吸收器 | 申请号 | CN201310154299.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103293572A | 公开（授权）日 | 2013.09.11 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 发明（设计）人 | 吴俊;周常河;曹红超 | 主分类号 | G02B5/00(2006.01)I | IPC主分类号 | G02B5/00(2006.01)I | 专利有效期 | TE偏振光谱选择性吸收器 至TE偏振光谱选择性吸收器 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种用于可见光波段（400-800nm）的TE偏振光谱选择性吸收器，该吸收器的顶部光栅的周期、占空比和厚度分别为310～314纳米、0.35～0.37、216～220纳米，中间电介质隔离层的膜厚为103～107纳米。当TE偏振光在-15度～15度范围内入射时，在中心波长561纳米附近一个较窄波段范围内的入射光将被吸收，随着结构参数和入射角度的变化，吸收光谱会发生较小地频移，峰值吸收波长会随之发生较小地频移，但是在各峰值波长处可始终保持近100%的吸收，并且吸收谱线的半高全宽一直小于20纳米。本发明TE偏振光谱选择性吸收器由电子束直写装置结合微电子深刻蚀工艺加工而成，取材方便，造价小，能大批量生产，具有重要的实用前景。 |
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